凡亿PCB设计之PCB增材制造工艺

time : 2022-05-19 11:47       编辑:凡亿pcb

某些使用外置SDRAM 的STM32应用客户反映其产品在EMC测试中,存在由于SDRAM信号导致辐射干扰超标的问题。在终端产品中如果不能用机壳屏蔽辐射干扰,那么这类问题往往需要通过修改SDRAM信号的PCB设计来解决。
这里针对SDRAM的PCB应用设计中如何改善辐射干扰问题做个概述,抛砖引玉,以供参考。
PCB设计中的SDRAM辐射干扰对策
SDRAM由于其工作在较高的频率,具有较陡的上升沿和下降沿,因此在PCB设计中有必要将其信号走线按高速信号传输线来处理,通常要注意下面的一些基本原则:
1.保持SDRAM信号的完整性
SDRAM信号的失真将进一步拓宽信号的辐射频谱,从而带来更严重的辐射问题,因此必须注意SDRAM信号完整性设计。
推荐使用4层或更多层板将SDRAM信号的特性阻抗控制在50欧姆,尽可能减少过孔在SDRAM总线上的使用,保持阻抗的连续性,减少由阻抗不连续导致的信号反射;
SDRAM信号走线间距应遵循3W原则,两根走线中心间距尽可能保持至少3倍线宽, 可以减少因为信号间窜扰而导致的信号失真;
尽可能使SDRAM靠近MCU,缩短MCU到SDRAM信号走线的长度(通常不应超过120毫米);
2.保持最短的SDRAM信号回流路径
对于多层PCB来说,高速信号的回流路径就是其走线在参考平面的投影。在PCB设计中,应该注意保持其参考平面的完整连续,如果由于信号换层或电源层分割等原因而导致信号回流路径被切断,必须通过增加换层电容/换层地过孔和电源平面跨接电容等手段确保SDRAM信号有最短的回流路径。
3.将SDRAM信号(特别是时钟信号)布放在PCB的内层
在SDRAM信号中,时钟信号有最强的辐射电平,可以通过将其布放在PCB内层并加以外层地铜箔屏蔽的方法减少其辐射。
对于STM32的FMC接口同时外挂有SDRAM和FLASH的设计,由于SDRAM和FLASH共享了某些MCU管脚,其复杂的走线拓扑结构进一步增强了SDRAM信号的辐射干扰,建议将SDRAM和FLASH的走线都尽可能布放在PCB内层,同时在PCB的外层用地平面对这些信号加以屏蔽。
4.保持SDRAM走线区域与其它信号/线缆尽可能远的距离
较长的其它走线或线缆可以作为天线将耦合的SDRAM辐射信号发送出去,所以应该在PCB中将它们布置在远离SDRAM信号的区域,必要的时候可以在这些走线或线缆连接端放置磁珠或滤波器衰减SDRAM辐射信号。
XML 地图 | Sitemap 地图